A Samsung nemrég bejelentette az első, V-NAND chipekre épülő SSD-t. Az új technológia vertikálisan rétegezett memóriachipeket alkalmaz a nagyobb teljesítmény és a fáradás hatásainak csökkentése érdekében, mely először a vállalati kategóriás SSD-kben lesz bevezetve(960GB és 480GB 2,5"-os SSD). A 3D V-NAND technológiának köszönhetően 20%-os teljesítménynövekedés és 40%-os energiamegtakarítás érhető el. A vertikálisan rétegezett V-NAND lecsökkenti a cellák közötti interferenciát, amivel nagyban javítja a memória sebességét és növeli annak élettartamát. A V-NAND SSD-k nagyjából 35 ezer írási ciklust bírnak fáradás nélkül, az eddigi normál néhány ezerrel szemben.
Ez a fáradás főként vállalati környezetben probléma, mivel a folyamatosan működő szerverek és az azokon futó alkalmazások akkora mennyiségű adatot hoznak létre, amely hamar kifáraszthat egy meghajtót. Ennek okán olyan algoritmusokat alkalmaznak az SSD-kben, amelyekkel elosztható a terhelés a cellákon, így a fáradás később jelentkezik. Továbbá bevált megoldás még, hogy a meghajtók valódi kapacitása nagyobb, mint a névleges méret, így az elfáradt cellákat a többletkapacitásból pótolja az SSD. A Samsung új, 960GB-os meghajtója például 64 darab 128 gigabites chipből áll.
Az új SSD-k sorozatgyártása folyamatban van, kereskedelmi forgalomba azonban még nem került. A meghajtó szabványos 2,5"-os lesz 6 Gbps sebességű SATA csatolóval.